意法半导体请求 GaN 器材的背势垒集成计划专利改善氮化镓功率器材

  金融界 2025 年 5 月 6 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，意法半导体世界公司请求一项名为“GaN 器材的背势垒集成计划”的专利，揭露号 CN119922931A，请求日期为 2024 年 10 月。

  专利摘要显现，本揭露触及 GaN 器材的背势垒集成计划。本揭露的多种施行例揭露了改善的氮化镓(GaN)功率器材以及制作此类器材的方法。制作 GaN 器材的方法可以包含供给具有榜首侧和第二侧的半导体基材。半导体基材包含 GaN 资料、前侧势垒层和背侧势垒层。在半导体基材的榜首区域上构成 pGaN 着落部，并且在半导体基材的第二区域上构成欧姆触摸件。欧姆触摸件包含一个或多个通孔触摸件着落部和使得与背侧势垒层非间触摸摸的一个或多个背侧势垒触摸件。